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適用: | RDRAMの記憶モジュール | 色: | 灰色 |
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厚さ: | 2.5mmT | 特徴: | 熱に行なうこと |
熱conducctivity: | 5W/mK | ||
ハイライト: | 熱的に伝導性の注入口,熱伝導性のシリコーン,熱ギャップフィルター2.5mmT |
5W / 熱的にRDRAMの記憶モジュールのための絶縁体をMKの伝導性
TIF8100使用基材としてシリコーンとの特別なプロセス、熱伝導性の粉および炎-熱インターフェイス材料になるために混合物を作る抑制剤--を一緒に加える。これは熱源と脱熱器の間で熱抵抗を下げて有効である。
特徴:
>完全な熱に行なうこと
>よい熱伝導性: 5 W/mK
> 自然に粘着性それ以上の付着力のコーティングを必要とする
>低い圧力の適用のために柔らかく、圧縮性
> Thcikness:2.5mmT
適用:
> フレームのシャーシへの冷却の部品
> テレコミュニケーション ハードウェア
>手持ち型の携帯用電子工学
>半導体によって自動化される試験装置
> RDRAMの記憶モジュール
> LED TVおよび導つけられたランプ
> 自動車のエンジンの制御装置
> 高速大容量記憶装置ドライブ
> LCDの導つけられた青いで沈降ハウジングを熱しなさい
> マイクロ ヒート パイプの熱解決
TIF™8100の典型的な特性
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色
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灰色 |
視覚資料 | 合成の厚さ | hermalImpedance @10psi (² /W) ℃で |
構造及び
Compostion |
陶磁器の満たされたシリコーン エラストマー
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*** | 10mils/0.254 mm | 0.21 |
20mils/0.508 mm | 0.27 | |||
比重
|
2.69 g /cc | ASTM D297 |
30mils/0.762 mm |
0.39 |
40mils/1.016 mm |
0.43 | |||
熱容量
|
1つのl /g-K | ASTM C351 |
50mils/1.270 mm |
0.50 |
60mils/1.524 mm |
0.58 |
|||
硬度
|
45海岸00 | ASTM 2240 |
70mils/1.778 mm |
0.65 |
80mils/2.032 mm |
0.76 | |||
引張強さ
|
40のpsi |
ASTM D412 |
90mils/2.286 mm |
0.85 |
100mils/2.540 mm |
0.94 | |||
Continuosは臨時雇用者を使用する
|
-40 160℃に |
*** |
110mils/2.794 mm |
1.00 |
120mils/3.048 mm |
1.07 | |||
絶縁破壊の電圧
|
>1500~>5500 VAC | ASTM D149 |
130mils/3.302mm |
1.16 |
140mils/3.556 mm |
1.25 | |||
比誘電率
|
5.5 MHz | ASTM D150 |
150mils/3.810 mm |
1.31 |
160mils/4.064 mm |
1.38 | |||
容積抵抗
|
6.3X1012Ohmメートル | ASTM D257 |
170mils/4.318 mm |
1.43 |
180mils/4.572 mm |
1.50 | |||
火の評価
|
94 V-0 |
同等のUL |
190mils/4.826 mm |
1.60 |
200mils/5.080 mm |
1.72 | |||
熱伝導性
|
5 W/m-K | ASTM D5470 | Visua l/ASTM D751 | ASTM D5470 |
証明:
ISO9001:2015年
ISO14001:2004 IATF16949:2016年
IECQ QCの080000:2017
UL
コンタクトパーソン: Miss. Dana
電話番号: 18153789196