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製品名: | 高性能半導体電気絶縁シート熱伝導性シリコーンガスケットSil Pad For IGBT Mosfet | 色: | ライトアンバー |
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密度: | 2.0g/cc | 張力強度 (Mpa): | 10 |
連続体は温度を使用します: | -45〜160°C | 熱伝導率: | 1.3W/mK |
キーワード: | 半導体電気絶縁シート | ポリマイドフィルム厚さ ((インチ/mm): | 0.001 ((インチ) / 0.025mm |
アプリケーション: | IGBT モスフェット |
高性能半導体電気絶縁シート熱伝導性シリコーンガスケットSil Pad For IGBT Mosfet
製品の説明
TIS®800Kシリーズは、ポリイミドフィルムにセラミック充填層をコーティングした熱シリコーン製品で、優れた熱伝導性と熱伝達性能を提供します。TIS®800Kモデルは、デバイス開口部へのネジ取り付け用途向けに設計されており、複合ポリイミドフィルムが優れた誘電絶縁を提供します。その柔らかい熱コーティングは、ギャップ充填能力を高め、組み立て中の取り扱いを改善します。
特徴:
>比較的柔らかい表面、良好な熱伝導性
>高電圧絶縁、低熱抵抗
>引き裂き抵抗と耐パンク性
用途:
>電源および自動車用バッテリーパック
>パワー半導体デバイス
>オーディオビジュアル製品
>充電ステーション
TIS®800Kシリーズの代表特性 | ||||
製品名 | TIS®806K | TIS®808K | TIS®810K | 試験方法 |
色 | ライトアンバー | 外観 | ||
ポリイミドフィルム厚さ(inch/mm) | 0.001"/0.025mm | ASTM D374 | ||
総厚さ | 0.006"/0.152mm | 0.008"/0.203mm | 0.010"/0.254mm | |
密度 (g/cc) | 2.0 | ASTM D297 | ||
引張強度 (Mpa) | 10 | ASTM D412 | ||
推奨動作温度 (℃) | -45~160℃ | *** | ||
絶縁破壊電圧 (VAC) | 6500 | 7000 | 7500 | ASTM D149 |
誘電率 | 3.8 | ASTM D150 | ||
体積抵抗率(Ohm-cm) | 3.5X10¹³ | ASTM D257 | ||
難燃性 | 94 V0 | 同等UL | ||
熱伝導率 | 1.3 W/mK |
標準厚さ: 0.006" (0.152 mm), 0.008" (0.203 mm), 0.010" (0.254 mm)
その他の厚さオプションについては、お問い合わせください。
標準サイズ: 10" x 100' (254 mm x 25.4 m)。TIS®800Kシリーズは、さまざまな形状にダイカットして供給できます。
梱包詳細とリードタイム
の梱包シリコーン絶縁材料
1. PETフィルムまたはフォームによる保護
2. 各層を分離するために紙カードを使用
3. 輸出用カートンの内側と外側
4. お客様の要件を満たす - カスタマイズ
リードタイム :数量(個):5000
推定時間(日): 交渉中
よくある質問:
Q: あなたは商社ですか、それともメーカーですか?
A: 私たちは中国のメーカーです。
Q: 私の用途に適した熱伝導率を見つけるにはどうすればよいですか?
A: 電源のワット数、放熱能力によって異なります。詳細な用途と電力を教えていただければ、最適な熱伝導性材料を推奨できます。
Q: カスタムオーダーは受け付けていますか?
A: はい、カスタムオーダーを歓迎します。当社のカスタム要素には、寸法、形状、色、片面または両面への接着剤コーティング、またはグラスファイバーコーティングが含まれます。カスタムオーダーを希望される場合は、図面をご提供いただくか、カスタムオーダー情報を残してください。
コンタクトパーソン: Dana Dai
電話番号: 18153789196